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首頁 新聞中心 行業資訊 晶圓切割如何控制良率?

晶圓切割如何控制良率?

2022-04-30
共有4261家企業看過

      晶圓切割:從磨砂處理到芯片“誕生”


      切割晶圓,“刀法”需精準。從磨砂到切割,再到檢測,晶圓變成單個芯片的過程是怎樣的?


      晶圓切割的良率


      晶圓的良率非常重要,它最終決定晶圓的成本以及能否量產。良率還需要細分為晶圓良率、裸片良率和封測良率,總良率就是這三種良率的總和。例如,如果晶圓廠的一條生產線上的每道工序的良率高達99%,那么600道工序后的整體良率是多少?答案是 0.24%,幾乎是 0。



      從晶圓制造、中期測試、封裝到最終測試,每一步都會對良率產生影響。晶圓良率越高,在同一晶圓上可以生產出的芯片就越好。



      晶圓良率受制程設備、原材料等因素影響較大,要獲得更高的晶圓良率,首先要穩定制程設備,定期恢復制程能力。另外,環境因素對wafer、Die、封測良率這三個良率都有一定的影響。常見的環境因素包括灰塵、濕度、溫度和光線亮度。因此,芯片制造和封裝測試的過程需要在超潔凈的工作環境中進行。最后,還有技術成熟度的問題。一般情況下,新工藝出來時,良率會很低。隨著生產的推進和導致良率低的因素被發現和改進,良率將不斷提高。



      如何控制晶圓良率


      對于晶圓制造實際生產線來說,每臺制造設備的穩定性都是非常重要的。如何減少晶圓切割損耗,降低成本,保證良率?


      在大理石精密平臺研發和制造方面,國內企業克洛諾斯走在行業前列??寺逯Z斯匯聚了行業精英人才,擁有現代化的管理方式,在2021年,成功研發一臺超精密氣浮運動平臺,重復定位精度達±50nm,可應用于晶圓切割工藝中。


      克洛諾斯±50nm氣浮運動平臺是定位晶圓或芯片的部件設備,具有配套的精密移動定位功能,主要特點:自主研發、重復定位精度 ±50nm、具有極高的精度和穩定性。晶圓的切割技術對提高成品率和封裝效率有著重要影響,同時晶圓的大小也影響IC的成本,晶圓越大,對劃片(切割)設備的精度要求也越高。

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